SIR422DP-T1-GE3 IC Chips Circuitos Integrados IC Transistor MOSFET SO-8
SIR422DP-T1-GE3 IC Chips Circuitos Integrados IC Transistor MOSFET SO-8
DESCRIÇÃO DO PRODUTO
Número da peça #SIR422DP-T1-GE3é fabricado porVishay Technologies e distribuído pela Jalixin.Como um dos principais distribuidores de produtos eletrônicos, oferecemos muitos componentes eletrônicos dos principais fabricantes do mundo.
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PROPRIEDADES DO PRODUTO
| Fabricante: | Vishay |
| Categoria de Produto: | MOSFET |
| Tecnologia: | Si |
| Estilo de montagem: | SMD/SMT |
| Pacote / Estojo: | PowerPAK-SO-8 |
| Polaridade do transistor: | Canal N |
| Número de canais: | 1 canal |
| Vds - Tensão de interrupção da fonte de dreno: | 40 V |
| Id - Corrente de Drenagem Contínua: | 20,5 A |
| Rds On - Resistência da Fonte de Dreno: | 6,6mOhms |
| Vgs - Tensão da Fonte do Gate: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensão limite da fonte de porta: | 1,2 V |
| Qg - Carga do Portão: | 48 nC |
| Temperatura operacional mínima: | - 55 C |
| Temperatura operacional máxima: | + 150 C |
| Pd - Dissipação de energia: | 34,7 W |
| Modo de canal: | Aprimoramento |
| Nome comercial: | TrenchFET, PowerPAK |
| Embalagem: | Carretel |
| Embalagem: | Cortar fita |
| Embalagem: | MouseReelName |
| Marca: | Semicondutores Vishay |
| Configuração: | solteiro |
| Tempo de outono: | 11 ns |
| Transcondutância direta - Mín.: | 70S |
| Tipo de Produto: | MOSFET |
| Tempo de subida: | 84 ns |
| Series: | SENHOR |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Tempo típico de atraso de desligamento: | 28 ns |
| Tempo de Atraso de Ligação Típico: | 19 ns |
| Part # Aliases: | SIR422DP-GE3 |
| Unidade de peso: | 0,017870 onças |
Perguntas frequentes
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JIALIXIN foi estabelecida em 2010, há 12 anos de experiência no fornecimento de componentes eletrônicos, incluindo 10 anos de experiência em oferecer o serviço BOM Kitting.
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